HTS开关连接方法

HTS开关由大量并联开关组成MOSFET它们结合在紧凑、低电感的组中。与所谓的雪崩晶体管开关不同，HTS开关的MOSFET它不是在击穿状态下工作，而是通过控制其网极来产生高可靠性和优异的开关性能。每个电路都有一个特殊的驱动电路MOSFET同步控制，低阻抗。纳秒转换时间可与低电感连接技术相结合。

控制电路与负载电路之间的电流隔离允许设备作为高边开关。

只有一个输入侧TTL兼容控制信号和5伏辅助电压。内部驱动电路负责信号调节、辅助电压监测、频率限制和温度保护)。HTS开关可提供固定或可变匝数-ondurations.Numous该模型涵盖了广泛的电压和电流。

控制输入具有致密触发特性，开关阈值约为2伏，受20伏保护。建议使用3-10伏的信号范围，以获得良好的信噪比。如果使用长信号线，终端电阻应提供相应的电路阻抗（如50欧姆），以避免反射。

由于高压部件与控制部件之间不可避免的耦合电容，特别是当发生器阻抗相对较高时，控制信号在快速电路中可能出现短的正负峰值。HTS开关的设计方法是控制电子设备忽视快速高压边缘造成的临时干扰。