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SiC高压开关

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SiC高压开关

2019-03-08 20:19:22来源：未知点击：次

SiC高压开关是由碳化硅MOSFET组成。相较于传统的硅场效应晶体管的高压开关，可以极大的降低导通时阻抗，大幅降低开关的固有电容，实现更高的切换频率和更好的散热能力。

相较传统硅场效应管高压开关，导通阻抗可以大幅减少大约90%
相较传统硅场效应管高压开关，固有电容减少大约30%~50%
大幅减少静态导通损失和动态切换损失
快速内生二极管使得多数应用下外接保护二极管不再必要
更高的峰值电流能力和更好的短路承受能力

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