SiC高压开关
2019-03-08 20:19:22来源:未知点击:
SiC高压开关是由碳化硅MOSFET组成。相较于传统的硅场效应晶体管的高压开关,可以极大的降低导通时阻抗,大幅降低开关的固有电容,实现更高的切换频率和更好的散热能力。
  • 相较传统硅场效应管高压开关,导通阻抗可以大幅减少大约90%
  • 相较传统硅场效应管高压开关,固有电容减少大约30%~50%
  • 大幅减少静态导通损失和动态切换损失
  • 快速内生二极管使得多数应用下外接保护二极管不再必要
  • 更高的峰值电流能力和更好的短路承受能力

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